常用场效应管(25N120等)参数及代换FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280W/0.051Ω/TO值1200V,电流Ic≥15A(IGBT型号第一段数字)并同带有阻尼二极管的IGBT管都可以替换，如仙童的FGA25N120(1200V/25A)和英飞凌的IKW15T120电磁炉专用管(1200V/15A),IKW25T120(1200V/25A)
fga25n120代换型号有哪些
可以代用。1、因为FGA25N120内含阻尼二极管，在代换IGBT功率管时，最高耐压、最大电流符合要求时，内含阻尼二极管的功率管FGA25N120参数是25A1200V，H20R1203参数是20A1200v，理论上讲可以代换，但在实际维修中，FGA25N120代换H20R12
fga25n120参数
主适用于LED照明驱动电源，充电桩等等。产品特征：符合RoHS RDS（ON）typ=9.6Ω@VGS=10V 低栅极充电可尽量减少开关损耗快速恢复体二极管2sk119参数及代换2sk119参数及代换2sk1FGA25N120是电磁炉IGBT功率管，主要参数是25A/1200V。GT40T101也是电磁炉常用IGBT功率管型号，主要参数是40A/1500V,参数优于25N120,所以可以代换。——功率管FGA25N120参数是25A12
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常用场效应管25N120等参数及代换FGA25N120ANDIGBT1200V25ATO3P电磁炉用FQA27N25MOSFET250V27ATO3PIRFP254FQA40N25MOSFET250V40A280W0051ΩTO3PIRFP264FQA55N25MOSFET250V55A310W0031、因为FGA25N120内含阻尼二极管，在代换IG *** 功率管时，更高耐压、更大电流符合要求时，内含阻尼二极管的IG *** 管可以代换不含阻尼二极管的IG *** 管。2、如果用不含阻尼二极管IG
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电磁炉三极管型号代换电磁炉三极管型号代换部份电磁炉功率管参数及带换FGA15N120AND 1200 24 192 HGTG11N120CND 1200 43 295 FGA25N120AND 1200 40 310 NPT技术FGA25N12所以FGA25N120是正品的话，一般都可以代换H20R1203。FGA25N120为内带阻尼管的场效应管。一般IGBT有三个电极，分别称为栅极G、集电极C及发射极E。扩展资料：在
